长鑫科技最近搞了个大动作，这事儿得仔细看看。9月28日晚上，公司发了个公告，说当天开了第二届董事会第六次会议。会上审了一个重要议案，就是打算拿部分超募资金去搞新的投资项目。说白了，就是要把手里多出来的钱，花在刀刃上。这笔钱怎么花？计划里写得明明白白，要拿出130亿元，专门用来投一个新的技术研发项目。另外还有50亿元，准备通过增资和借款的方式，给全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司。这笔钱会让子公司去建一个叫“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”的工程。加起来一共180亿元，全是超募资金里的钱。
要知道，长鑫科技这次IPO，募集的资金总额达到了666.07亿元。扣掉各种发行费用，不算增值税，但包含印花税，最后净落手的钱是663.1亿元。这么多钱到手，现在拿出一大部分来干正事，可见公司对未来的规划是有底气的。公司自己也在公告里透了口风，说想要构筑并维持核心竞争力，最根本的办法就是不停地推产品和制程工艺的升级换代。现在的产业格局复杂得很，技术路线也多变，公司必须靠着持续不断的研发投入，去推动工艺技术的代际演进。这样才能保证新产品在存储密度、功耗控制和读写性能这些硬指标上，能实现质的飞跃。这不仅仅是为了迎合市场的需求，更是为了给企业挖一条深深的护城河，提升抗风险的能力。所以，实施这个超募项目，开展技术研发，既能保持技术的领先地位，又能更快地推出那些性能更好、更有竞争力的产品，去满足市场的胃口。这样一来，公司的核心竞争力和抗风险能力自然就增强了。
再说那50亿元要建的测试基地，这里头也有讲究。完善IDM模式，测试这个环节在DRAM生产里是少不了的。但是测试用的设备很特殊，随着公司产能越来越大，产品种类也越来越多，外部的封测厂可能会出现测试产能不够用的情况，或者新增的投资配套跟不上节奏。为了避免测试产能变成整个生产的瓶颈，同时也为了保障供应链的安全，长鑫科技觉得必须赶紧增加自建测试产能的投入。通过自己建存储器晶圆后道测试和模组的项目，可以更灵活地协调测试产能的使用，还能降低DRAM芯片的测试成本。这对提升公司的运营效率和测试技术水平都有好处，也能让IDM模式变得更完善，整体竞争力也就更强了。
