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本周三，AI硬件板块集体走强，其中高带宽内存（HBM）概念尤为突出：德邦科技单日涨幅突破10%，有研新材封死涨停板，中科飞测、精智达、中微公司等标的同步走高，长鑫科技亦录得接近2%的上扬。

财联社消息显示，三星旗下存储器事业部已将其2031年之前大约七成的产能锁定给长期协议（LTA）客户，核心合作方涵盖英伟达、微软和谷歌等头部科技企业。

然而即便手握长约的大厂也未能拿到合同约定的全部配额，HBM争夺战异常白热化，直接拉动现货端报价持续攀升。

内存行业分析机构MegaGrid Supply披露的数据显示，单颗36GB规格的HBM3E芯片，当前现货成交价已达2100美元（折合约287万韩元），是长期协议定价区间（50万至70万韩元）的4到5倍。而正处于量产前夜、采用16层堆叠工艺的HBM4新品，若走现货渠道采购，单笔交易金额可触及3500美元（约合480万韩元）。

供给端的紧张态势正在由HBM向常规DRAM扩散。伴随面向英伟达等大客户的HBM4出货节奏加快，HBM产线吞噬了巨量的DRAM晶圆产能，叠加HBM4尚处量产爬坡期、制程良率不及上代HBM3E、单位产出需消耗更多DRAM晶圆等因素，DRAM整体供需缺口被进一步放大，价格随之水涨船高。

从AI基础设施建设投入的结构来看，存储芯片的占比正加速膨胀。半导体咨询机构TrendForce预测，到2027年该比例将攀升至68%，较当前水平实现近五倍的增长。

国金证券指出，长鑫存储现已跻身全球DRAM厂商第四把交椅，并率先启动HBM3E的小批量试产，目标在2027年实现规模化放量。一旦落地，将大幅减轻国产AI加速器对进口HBM的依赖，有效填补国内AI芯片供应链中的关键一环。届时，随着国产计算芯片逐步迈入"能用、好用"的新阶段，本土存储与算力全链条的价值空间有望再上一个台阶，进而牵引上游设备与材料领域的需求迎来集中释放。